型号: DPBT8105
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: PNP
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 1 A
增益带宽产品fT: 150 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100 at 1 mA at 5 V, 100 at 500 mA at 5 V, 80 at 1 A at 5 V, 30 at 2 A at 5 V
直流电流增益 hFE 最大值: 100 at 1 mA at 5 V
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 300 mW
系列: DPBT8105
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