型号:  DRDNB16W-7

功能描述:  双极晶体管 - 预偏置

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DRDN

单位重量：  6 mg

高度：  1 mm

长度：  2.2 mm

宽度：  1.35 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

Pd-功率耗散：  200 mW

直流集电极/BaseGainhfeMin：  56

峰值直流集电极电流：  600 mA

发射极-基极电压VEBO：  5 V

集电极—发射极最大电压VCEO：  18 V

典型输入电阻器：  1 kOhms

晶体管类型：  NPN - 预偏压 + 二极管

电阻器-基底（R1）（欧姆）：  1k

电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：  10k

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  56 @ 50mA，5V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  300mV @ 2.5mA，50mA

电流-集电极截止（最大值）：  500nA

频率-跃迁：  200MHz

功率-最大值：  200mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-TSSOP，SC-88，SOT-363

封装形式Package：  SOT-363

极性Polarity：  NPN

集电极最大允许电流Ic：  600mA

集电极_发射极击穿电压VCEO：  50V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs