型号: DRF1200
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
技术: Si
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
封装: Box
配置: Inverting, Non-Inverting
高度: 0.3 mm
长度: 1.5 mm
类型: RF Power MOSFET
宽度: 1 mm
商标: Microchip / Microsemi
下降时间: 2.5 ns
Pd-功率耗散: 624 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
上升时间: 2.5 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
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