型号: DST847BPDP6
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Dual
晶体管极性: NPN, PNP
集电极—基极电压 VCBO: + 50 V, - 50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 45 V, + 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V, - 5 V
集电极—射极饱和电压: 122 mV
增益带宽产品fT: 175 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-963
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
直流电流增益 hFE 最大值: 470
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 250 mW
系列: DST847B
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