型号: DTA115ECAT116
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 100 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 82 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： 250MHz
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SST3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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