型号: DTB114GCT116
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 200MHz
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 10k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 56 @ 50mA，5V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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