型号: DTB123TCT116
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V
电阻器 - 基底（R1）： 2.2 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 50mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 200MHz
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SST3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：危小姐
电话：18820193420
Q Q:
联系人：廖先生
电话：010-62562838
Q Q:
联系人：张
电话：18028720686
Q Q:
