型号:  DXT2011P5Q-13

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerDI-5

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  100 V

集电极—基极电压 VCBO:  200 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  7 V

集电极—射极饱和电压:  180 mV

最大直流电集电极电流:  6 A

增益带宽产品fT:  130 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:  300

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

集电极连续电流:  6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  100

Pd-功率耗散:  3.2 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  5000

子类别:  Transistors

单位重量:  93 mg