DXT651Q-13规格参数_DXT651Q-13全国代理商/分销商

型号: DXT651Q-13
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.23 V
最大直流电集电极电流: 3 A
增益带宽产品fT: 200 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 300
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
Pd-功率耗散: 2 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors