型号:  DXTN3C60PSQ-13

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerDI5060-8

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  60 V

集电极—基极电压 VCBO:  60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  7 V

集电极—射极饱和电压:  180 mV

最大直流电集电极电流:  3 A

增益带宽产品fT:  140 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

直流电流增益 hFE 最大值:  -

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

集电极连续电流:  3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  50

湿度敏感性:  Yes

Pd-功率耗散:  5 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

单位重量:  97 mg