型号:  DZ435N36K

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  BG-PB501-1

封装：  Tray

Moisture Level：  NA

Configuration：  Single Rectifier Diode

VDRM / VRRM [V]：  3600.0

VDRM/ VRRM (V)：  3600.0V

Housing：  PowerBLOCK 50 mm

rT [mΩ] (@Tvj max) max：  0.6

Tvj [°C] max：  150.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：  0.84

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：  720.0

RthJC [K/W] (@180° el sin) max：  0.078

IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：  435/100

IFSM / ITSM：  12000.0A

IFAVM / TC / ITAVM / TC：  435/100 (180° el sin) A/°C

IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max)：  12000.0

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs