型号:  DZT658-13

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-4

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  400 V

集电极—基极电压 VCBO:  400 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  500 mV

最大直流电集电极电流:  1 A

增益带宽产品fT:  50 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  DZT658

直流电流增益 hFE 最大值:  50 at 1 mA, 5 V

高度:  1.6 mm

长度:  6.5 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  3.5 mm

商标:  Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:  40 at 200 mA, 10 V

Pd-功率耗散:  1000 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

单位重量:  112 mg