型号: E3M0120090D
功能描述: MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 23 A
Rds On-漏源导通电阻: 155 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷: 17.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 97 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值: 7.7 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
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