型号: ECH8601M-TL-H-P
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）： 24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 23 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 7.5nC @ 4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装： 8-ECH
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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