型号: ECH8619-TL-E
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3A,2A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 93 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 560pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-ECH
其它名称: 869-1156-2
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