型号:  ECH8659-TL-W

功能描述:  MOSFET NCH+NCH 7A 30V 4V DR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  ECH-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  7 A

Rds On-漏源导通电阻:  55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  11.8 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  ECH8659

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  2.2 S

下降时间:  25 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  43 ns

典型接通延迟时间:  10 ns