型号: EFC2K102NUZTDG
功能描述: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）: 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 33A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 2.65 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 42nC @ 3.8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: -
功率 - 最大值: 3.1W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 10-SMD, 无引线
供应商器件封装: 10-WLCSP（2.98x1.49）
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