型号:  EFC3J018NUZTDG

功能描述:  MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WLCSP-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  23 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  75 nC

最小工作温度:  -

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Depletion

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  EFC3J018NUZ

晶体管类型:  Dual N-Channel

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  2800 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  890 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  4100 ns

典型接通延迟时间:  280 ns