型号: EFC4618R-P-TR
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 25.4nC @ 4.5V
功率 - 最大值： 1.6W
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-XBGA，4-FCBGA
供应商器件封装： EFCP1313-4CC-037
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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