型号: EFC4C002NLTDG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能： 逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6200pF @ 15V
功率 - 最大值： 2.6W
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-XFBGA，WLCSP
供应商器件封装： 8-WLCSP（6x2.5）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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