型号: EFC8811R-TF
功能描述: MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CSP-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 27 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 100 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: EFC8811R
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 17.7 us
产品类型: MOSFET
上升时间: 570 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 38 us
典型接通延迟时间: 80 ns
单位重量: 60 mg
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