型号: EKI07117
功能描述:
制造商: Sanken Electric Co., Ltd.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 57nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4040pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 116W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 9.3 毫欧 @ 31.2A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220-3
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：郑希明
电话：13372347927
Q Q:
联系人：杨R
电话：18923785673
Q Q:
