型号:  EM6M2T2R

功能描述:  MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  200 mA

Rds On-漏源导通电阻:  1 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4 V, - 4.5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  EM6M2

晶体管类型:  1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  10 ns, 17 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns, 4 ns

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15 ns, 17 ns

典型接通延迟时间:  5 ns, 6 ns

零件号别名:  EM6M2

单位重量:  3 mg