型号: EMB09P03V
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
制造商: EMC(杰力)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 24A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 9.5mΩ @ 13A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: P沟道
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：汤浩
电话：13714597827
Q Q:
联系人：严先生
电话：15818585995
Q Q:
联系人：邓升
电话：15818772409
Q Q:
