型号: EMB12P03G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
制造商: EMC(杰力)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 13A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 13A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：章琴
电话：13545908391
Q Q:
联系人：庞琳
电话：18986069172
Q Q:
联系人：平小姐
电话：13798351927
Q Q:
