型号: EMB20N03V
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
制造商: EMC(杰力)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 21W(Tc)
类型: N沟道
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：庆晨
电话：15322247851
Q Q:
联系人：施先生
电话：13823155485
Q Q:
联系人：武盈盈
Q Q:
