型号:  EPC1012

功能描述:  TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

制造商:  EPC

应用说明：  Second Generation eGaN® FETsThermal Performance of eGaN® FETsAssembling eGaN® FETSUsing eGaN® FETs

视频文件：  EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey

RoHS指令信息：  Lead Free/RoHS Statement

PCN Obsolescence：  EPC1yyy Series 09/Sept/2011

标准包装：  1

类别：  分立式导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  eGaN®

包装：  剪切带 (CT)

FET 类型：  GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：  200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：  3A （Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：  100 毫欧 @ 5A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：  2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：  1.9nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：  110pF @ 100V

功率 - 最大值：  -

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  模具

供应商器件封装：  模具

产品目录页面：  1599 (CN2011-ZH PDF)

其它名称：  917-1006-1

ROHS：   含铅