型号: EPC2030
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型： N 沟道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 31A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 16mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1900pF @ 20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2.4 毫欧 @ 30A，5V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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