型号: EPC2111ENGRT
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 16A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 19 毫欧 @ 15A,5V,8 毫欧 @ 15A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 230pF @ 15V,590pF @ 15V
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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