型号: EPC8009TENGR
功能描述: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
制造商: EPC
应用说明： Assembling eGaN® FETSDie Attach ProcedureDie Removal Procedure
标准包装： 2
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： eGaN®
包装： 托盘
FET 类型： GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)： 65V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： 4.1A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 138 毫欧 @ 500mA， 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 0.380nC @ 32.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 47pF @ 32.5V
功率 - 最大值： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具
其它名称： 917-EPC8009AENGR917-EPC8009AENGR-ND917-EPC8009TENGREPC8009AENGR
ROHS： 无铅
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