型号: ES3J V6G
功能描述: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）: 600V
电流 - 平均整流（Io）: 3A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 3A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）: 35ns
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流: 10µA @ 600V
不同Vr，F 时的电容: 30pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
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