型号: F2012
功能描述: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
制造商: POLYFET [Polyfet RF Devices]
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈晓玲
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联系人:肖瑶,树平
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