型号:  F475R12KS4B11BOSA1

功能描述:  Infineon F475R12KS4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装

制造商:  Infineon Technologies

配置：  三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100A

功率 - 最大值：  500W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  3.75V @ 15V, 75A

电流 - 集电极截止（最大值）：  1mA

不同 Vce 时的输入电容（Cies）：  5.1nF @ 25V

输入：  标准

NTC 热敏电阻：  是

工作温度：  -40°C ~ 125°C

安装类型：  底座安装

封装/外壳：  AG-ECONO2-6

供应商器件封装：  模块

配置：  双半桥

晶体管配置：  双路半桥接

最大连续集电极电流：  100 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

通道类型：  N

安装类型：  PCB（印刷电路板）安装

封装类型：  ECONO2

引脚数目：  24

开关速度：  1MHz

最大功率耗散：  500 W

尺寸：  107.5 x 45 x 17mm

高度：  17mm

长度：  107.5mm

最高工作温度：  +125 °C

宽度：  45mm

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs