型号: F501D
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道
制造商: PIP(丽隽)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 30mA
栅源极阈值电压: -
漏源导通电阻: 700Ω @ 3mA,0V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 500mW
类型: N沟道
联系人：Alien
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