型号: FA211801FV4XP
功能描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 31260 Tray
制造商: Infineon Technologies AG
供应商封装形式： Case 31260
最大频率： 2170
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 200
通道模式： Enhancement
输出功率： 180
包装高度： 4.11
安装： Surface Mount
Typical Drain Efficiency ： 38.5
渠道类型： N
封装： Tray
最大漏源电阻： 50(Typ)@10V
最低工作温度： -40
每个芯片的元件数： 1
包装宽度： 13.72
典型功率增益： 15.5
PCB： 3
包装长度： 23.11
最大功率耗散： 565000
最大漏源电压： 65
引脚数： 3
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