型号: FB190SA10
功能描述: FB190SA10 Series N-Channel 100 V 0.0065 Ohm Power Mosfet - SOT-227
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 190A
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.35V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 250nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10700pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 568W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 6.5 毫欧 @ 180A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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