型号:  FC4B21300L1

功能描述:  MOSFET Gate res integrated Dual Nch MOSFET

制造商:  Panasonic

制造商:  Panasonic

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  CSP-4

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  1.5 A, 2 A

Rds On-漏源导通电阻:  225 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  1.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  320 mW, 600 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  FC4B

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Panasonic

下降时间:  0.22 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  0.2 us

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  0.27 us

典型接通延迟时间:  0.1 us