型号: FCA35N60
功能描述: MOSFET 35A, 600V SuperFET
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 79 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 139 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 312.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET
封装: Tube
高度: 20.1 mm
长度: 16.2 mm
系列: FCA35N60
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: 600 V N-Channel MOSFET
宽度: 5 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 28.8 S
下降时间: 73 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 120 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 105 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
单位重量: 6.401 g
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