型号: FCAB21350L1
功能描述: MOSFET Wide Pad Dual Nchannel MOSFET
制造商: Panasonic
制造商: Panasonic
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 12 A, 27 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 350 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 450 mW, 2.1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: FCAB
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Panasonic
下降时间: 5 us
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.3 us
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9 us
典型接通延迟时间: 1.2 us
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