型号:  FCD360N65S3R0

功能描述:  MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  10 A

Rds On-漏源导通电阻:  360 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  18 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  83 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SuperFET3

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  6 S

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  34 ns

典型接通延迟时间:  12 ns