型号:  FCD600N60Z

功能描述:  MOSFET 600V N-Channel MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  7.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  20 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  89 W

配置:  Single

商标名:  SuperFET II

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.39 mm

长度:  6.73 mm

产品:  MOSFET

系列:  FCD600N60Z

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  6.22 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  6.7 S

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  39 ns

典型接通延迟时间:  13 ns

单位重量:  260.370 mg