型号: FCH040N65S3
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):65A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 6.5mA 漏源导通电阻:40mΩ @ 32.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):417W(Tc) 类型:N沟道
制造商: ON(安森美)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 65A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 6.5mA
漏源导通电阻: 40mΩ @ 32.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 417W(Tc)
类型: N沟道
联系人:郭
电话:13670017571
联系人:欧阳先生
电话:18948794636
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:杨晓芳
电话:13430590551
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:朱俊文
电话:18676381486
联系人:罗舟
电话:13164749259
联系人:成小姐
Q Q: