型号:  FCH041N65F-F155

功能描述:  MOSFET SuperFET2 650V, 44 mOhm, FRFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  76 A

Rds On-漏源导通电阻:  41 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V, 30 V

Qg-栅极电荷:  226 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  595 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  SuperFET II

封装:  Tube

高度:  20.82 mm

长度:  15.87 mm

系列:  FCH041N65F

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.82 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  18 S

下降时间:  6.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  47 ns

工厂包装数量:  450

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  190 ns

典型接通延迟时间:  60 ns

零件号别名:  FCH041N65F_F155

单位重量:  6.390 g