型号: FCH190N65F_F085
功能描述: MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 20.6 A
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Rds On-漏源导通电阻: 401 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 63 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 14.5 ns
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 6.390 g
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