型号:  FCMT199N60

功能描述:  MOSFET 199mohm 600V SuperFET2

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power-88-4

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  20.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  199 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V, 30 V

Qg-栅极电荷:  57 nC

最小工作温度:  - 50 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  208 W

商标名:  SuperFET II

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  8 mm

系列:  FCMT199N60

宽度:  8 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  20 S

下降时间:  5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  64 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

单位重量:  449.030 mg