型号:  FCP190N65F

功能描述:  MOSFET SF2 650V 190MOHM F TO220

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  20.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  60 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  208 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  SuperFET II FRFET

封装:  Tube

高度:  16.3 mm

长度:  10.67 mm

系列:  FCP190N65F

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.7 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  18 S

下降时间:  4.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  62 ns

典型接通延迟时间:  25 ns

单位重量:  1.800 g