型号: FCPF11N60_G
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 管件
系列: SuperFET™
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 52nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1490pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 36W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F
封装/外壳: TO-220-3 整包
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