型号: FCPF650N80Z
功能描述: MOSFET SF2 800V 650MOHM E TO220F
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30.5 W
配置: Single
商标名: SuperFET II
封装: Tube
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
系列: FCPF650N80Z
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.9 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 3.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 2.270 g
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