型号:  FCX591AQTA

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-89-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 40 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 7 V

集电极—射极饱和电压:  - 0.5 V

最大直流电集电极电流:  - 1 A

增益带宽产品fT:  150 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:  800 at - 100 mA, - 5 V

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

集电极连续电流:  - 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  300 at - 100 mA, - 5 V

Pd-功率耗散:  1 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors