型号: FD200R12KE3HOSA1
功能描述: IGBT MODULE 1200V 1050W
制造商: Infineon Technologies
包装: 散装
系列: -
零件状态: 有源
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单斩波器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 1200V
功率 - 最大值: 1050W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5mA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 14nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
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